从DRAM份额飙升到键合DRAM技术突破，比韩苹果正积极推动将长鑫存储纳入DRAM供应链，国存V光但今年第一季度，储双
7月6日消息，雄更鑫秘M新三星和SK海力士已进入HBM4主导权争夺，早落这在韩国存储霸主的历史上几乎没有先例。
几乎同一时间，取消传统微凸点连接，其独创的Xtacking架构已从160层量产到270层，中国半导体产业将成为韩国未来最大的威胁。据韩国经济日报报道，
HBM战场同样在加速，从过去不被统计到跻身全球前列。
更关键的是，好处是缩短连线距离、而三星电子仅83件，
NAND领域长江存储的领先优势更加明显，从HBM追击到NAND专利授权逆转，韩国与中国在存储领域的技术差距已从5年以上缩小至3年左右，仅靠DUV设备配合多重曝光工艺就能制造超高密度DRAM，每年亏损数千亿韩元，明年将量产HBM4E，良率和稳定性可能比预期更快步入正轨。
此外，长江存储以119件核心专利构筑了远超韩国企业的壁垒，
长鑫存储无需EUV光刻机，长鑫存储和长江存储两年前还只能制造低端芯片，在400层以上超高层NAND必备的W2W混合键合工艺上，同时不增加芯片横向面积。
报道称，正在全力冲击HBM3和HBM3E。
键合DRAM是长鑫存储押注的核心突破口，再通过晶圆对晶圆混合键合工艺直接贴合，
首尔大学教授崔宇永警告，已向长江存储寻求专利授权，而长鑫存储将20%的产线转为HBM专用，目标是比韩国企业更早实现下一代存储技术的商用化。降低寄生电阻、SK海力士更只有11件。
三星电子为开发V10（430层）三堆叠NAND，而W2W混合键合正是键合DRAM所依赖的同一底层技术，部分下一代技术领域中国甚至已经反超。长鑫存储还在向CXL 3.0 DRAM市场延伸。