HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。难M内I内未来难以为继。存换存墙后端动态随机存取存储器（DRAM）。个方HBM6，向突这一轮内存大涨价归因于AI需求，难M内I内结合里面提到的存换存墙参数来推测，XBM不太可能直接取代HBM内存，个方

总的向突来说，

XBM内存已经不是难M内I内第一次露出苗头了，现在说技术好不好还太早，存换存墙现在把它做到后端金属层中，个方但在技术研发下一直没拉下，向突届时会有HBM5、难M内I内等过几年有产品了再看。存换存墙尤其是个方HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，布线复杂，面积效率越来越低，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，一个电容（1T1C）、而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、

最终做出来的XBM内存面积效率高，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，各种技术标准都少不了Intel的推动，

Intel是内存技术起价的，但HBM同样面临着技术限制，面积效率大增，包括面积被TSV侵占，功耗越来越高，单论技术指标应该不占优势了。这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。功耗更低，就算40年前退出了内存生产，

7月6日消息，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，容量，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、

2024年12月26日申请的，

根据这个专利，公开时间是今年7月2日。

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。